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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | IPW50R190CEFKSA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 500V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 18.5A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 6.2A, 13V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 510µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 47.2nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1137pF @ 100V |
| FET-Eigenschaft | Super Junction |
| Verlustleistung (Max) | 127W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO247-3 |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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IPW50R140CP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V 23A TO-247 | - | 336 | Einzelheiten |
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IPW50R190CEFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 18.5A TO247 | - | 11842 | Einzelheiten |
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