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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | IPU80R1K0CEBKMA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Discontinued at Digi-Key |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 800V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 5.7A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 785pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 83W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 950 mOhm @ 3.6A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO251-3 |
| Paket / Fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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IPU80R1K0CEAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V TO251-3 | 0 | Einzelheiten | |
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IPU80R1K0CEBKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3 | 0 | Einzelheiten | |
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IPU80R1K2P7AKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3 | - | 0 | Einzelheiten |
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IPU80R1K4CEAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V TO251-3 | 0 | Einzelheiten | |
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IPU80R1K4CEBKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3 | 0 | Einzelheiten | |
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IPU80R1K4P7AKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 4A IPAK | 450 | Einzelheiten | |
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IPU80R2K0P7AKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3 | - | 0 | Einzelheiten |
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IPU80R2K4P7AKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3 | - | 0 | Einzelheiten |
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IPU80R2K8CEAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V TO251-3 | 0 | Einzelheiten | |
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IPU80R2K8CEBKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3 | 0 | Einzelheiten | |
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IPU80R3K3P7AKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3 | - | 0 | Einzelheiten |
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IPU80R4K5P7AKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 1.5A IPAK | 1477 | Einzelheiten |