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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | IPU50R1K4CEBKMA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 500V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3.1A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 13V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 70µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 178pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 25W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 900mA, 13V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO251-3 |
| Paket / Fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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IPU50R1K4CEAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 3.1A TO-251 | 0 | Einzelheiten | |
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IPU50R1K4CEBKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 3.1A TO-251 | - | 1342 | Einzelheiten |
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IPU50R2K0CEAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-251 | 0 | Einzelheiten | |
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IPU50R2K0CEBKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-251 | - | 1191 | Einzelheiten |
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IPU50R3K0CEAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 1.7A TO-251 | 0 | Einzelheiten | |
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IPU50R3K0CEBKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 1.7A TO-251 | - | 178 | Einzelheiten |
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IPU50R950CE | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251 | - | 0 | Einzelheiten |
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IPU50R950CEAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251 | 880 | Einzelheiten | |
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IPU50R950CEAKMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251 | 0 | Einzelheiten | |
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IPU50R950CEBKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251 | - | 11240 | Einzelheiten |