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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | IPSA70R2K0P7SAKMA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 700V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3A |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 30µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 3.8nC @ 400V |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 130pF @ 400V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 17.6W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO251-3-347 |
| Paket / Fall | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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IPSA70R1K2P7SAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET COOLMOS 700V TO251-3 | - | 95449 | Einzelheiten |
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IPSA70R1K4CEAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET COOLMOS 700V TO251-3 | 0 | Einzelheiten | |
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