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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | IPS65R1K0CEAKMA2 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 650V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 7.2A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 1.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 15.3nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 328pF @ 100V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 68W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO251-3-342 |
| Paket / Fall | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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IPS65R1K0CEAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 4.3A TO-251-3 | 0 | Einzelheiten | |
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IPS65R1K0CEAKMA2 | Infineon Technologies | CONSUMER | - | 191900 | Einzelheiten |
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IPS65R1K4C6AKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-251 | - | 1607 | Einzelheiten |
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IPS65R1K5CEAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-251-3 | 3076 | Einzelheiten | |
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IPS65R400CEAKMA1 | Infineon Technologies | CONSUMER | 0 | Einzelheiten | |
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IPS65R600E6AKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-251-3 | 0 | Einzelheiten | |
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IPS65R650CEAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET COOLMOS 650V TO251-3 | 0 | Einzelheiten | |
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IPS65R950C6AKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-251 | - | 49 | Einzelheiten |