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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | IPS50R520CPAKMA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 500V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 7.1A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 520 mOhm @ 3.8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 680pF @ 100V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 66W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO251-3 |
| Paket / Fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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IPS50R520CP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-251 | 0 | Einzelheiten | |
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IPS50R520CPAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 7.1A TO251-3 | - | 6983 | Einzelheiten |
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IPS50R520CPBKMA1 | Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY | 0 | Einzelheiten |