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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | IPP80R900P7XKSA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 800V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 45W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 900 mOhm @ 2.2A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO220-3 |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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IPP80R1K2P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3 | - | 0 | Einzelheiten |
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IPP80R1K4P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 4A TO220 | 995 | Einzelheiten | |
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IPP80R280P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 17A TO220 | 370 | Einzelheiten | |
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IPP80R360P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3 | - | 0 | Einzelheiten |
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IPP80R450P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 11A TO220 | 470 | Einzelheiten | |
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IPP80R600P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3 | - | 0 | Einzelheiten |
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IPP80R750P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3 | - | 0 | Einzelheiten |
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IPP80R900P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3 | - | 0 | Einzelheiten |