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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | IPP50R280CEXKSA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 500V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 13A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 13V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 350µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 32.6nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 773pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | Super Junction |
| Verlustleistung (Max) | 92W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 4.2A, 13V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO220-3-1 |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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IPP50R140CPHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V 23A TO-220 | 0 | Einzelheiten | |
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IPP50R140CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 23A TO-220 | 235 | Einzelheiten | |
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IPP50R190CE | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 18.5A PG-TO-220 | - | 2841 | Einzelheiten |
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IPP50R190CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 18.5A PG-TO-220 | - | 30632 | Einzelheiten |
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IPP50R199CPHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V TO-220 | 0 | Einzelheiten | |
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IPP50R199CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V 17A TO-220 | 360 | Einzelheiten | |
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IPP50R250CPHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 13A TO-220 | - | 0 | Einzelheiten |
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IPP50R250CPXKSA1 | Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY | - | 0 | Einzelheiten |
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IPP50R280CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO220 | - | 318 | Einzelheiten |
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IPP50R299CPHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V TO220-3 | - | 0 | Einzelheiten |
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IPP50R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V 12A TO220-3 | - | 112442 | Einzelheiten |
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IPP50R350CPHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 10A TO220-3 | 0 | Einzelheiten |