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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | IPP320N20N3 G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 200V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 34A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 90µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2350pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 136W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 32 mOhm @ 34A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO-220-3 |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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IPP320N20N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 34A TO220-3 | - | 3486 | Einzelheiten |
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IPP320N20N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 34A TO220-3 | - | 20841 | Einzelheiten |