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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | IPP120P04P4L03AKSA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 40V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 340µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 234nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 15000pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±16V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 136W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 3.4 mOhm @ 100A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO220-3-1 |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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IPP120P04P404AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO220-3 | 0 | Einzelheiten | |
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IPP120P04P4L03AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3 | 1349 | Einzelheiten |