IPL60R385CP

MOSFET N-CH 600V 9A 4VSON
IPL60R385CP P1
IPL60R385CP P1
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Infineon Technologies ~ IPL60R385CP

Artikelnummer
IPL60R385CP
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 9A 4VSON
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IPL60R385CP
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 9A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 340µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 790pF @ 100V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 83W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 385 mOhm @ 5.2A, 10V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-VSON-4
Paket / Fall 4-PowerTSFN

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