IPL60R360P6SATMA1

MOSFET N-CH 600V 8THINPAK
IPL60R360P6SATMA1 P1
IPL60R360P6SATMA1 P1
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Infineon Technologies ~ IPL60R360P6SATMA1

Artikelnummer
IPL60R360P6SATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 8THINPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IPL60R360P6SATMA1
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 11.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 370µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1010pF @ 100V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 89.3W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 360 mOhm @ 4.5A, 10V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-ThinPak (5x6)
Paket / Fall 8-PowerTDFN

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