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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | IPI90R1K0C3XKSA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 900V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 5.7A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 370µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 850pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 89W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 3.3A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO262-3 |
| Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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IPI90R1K0C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-262 | - | 0 | Einzelheiten |
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IPI90R1K2C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-262 | - | 0 | Einzelheiten |
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IPI90R340C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 15A TO-262 | - | 0 | Einzelheiten |
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IPI90R500C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 11A TO-262 | - | 0 | Einzelheiten |
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IPI90R800C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 6.9A TO262-3 | - | 6970 | Einzelheiten |
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IPI90R800C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-262 | - | 0 | Einzelheiten |