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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | IPI020N06NAKSA1 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 29A (Ta), 120A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 6V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 143µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 106nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7800pF @ 30V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 3W (Ta), 214W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 2 mOhm @ 100A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | PG-TO262-3 |
Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |