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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | IPG20N06S2L35AATMA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 55V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 2A (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 27µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 790pF @ 25V |
| Leistung max | 65W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
| Lieferantengerätepaket | PG-TDSON-8-10 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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IPG20N04S408AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | 0 | Einzelheiten | |
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IPG20N04S408ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 40V 20A TDSON-8 | 5000 | Einzelheiten | |
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IPG20N04S409ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_30/40V | 0 | Einzelheiten | |
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IPG20N04S412AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | 0 | Einzelheiten | |
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IPG20N04S412ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | 0 | Einzelheiten | |
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IPG20N04S4L07AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | 0 | Einzelheiten | |
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IPG20N04S4L07ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | 0 | Einzelheiten | |
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IPG20N04S4L08AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | 0 | Einzelheiten | |
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IPG20N04S4L08ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | 5000 | Einzelheiten | |
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IPG20N04S4L11AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | 0 | Einzelheiten | |
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IPG20N04S4L11ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | 0 | Einzelheiten | |
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IPG20N06S2L35AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | 5000 | Einzelheiten |