IPG15N06S3L-45

MOSFET 2N-CH 55V 15A TDSON-8
IPG15N06S3L-45 P1
IPG15N06S3L-45 P2
IPG15N06S3L-45 P1
IPG15N06S3L-45 P2
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Infineon Technologies ~ IPG15N06S3L-45

Artikelnummer
IPG15N06S3L-45
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 55V 15A TDSON-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IPG15N06S3L-45.pdf IPG15N06S3L-45 PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer IPG15N06S3L-45
Teilstatus Obsolete
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 55V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 15A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 45 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 10µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1420pF @ 25V
Leistung max 21W
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Lieferantengerätepaket PG-TDSON-8-4

Verwandte Produkte

Alle Produkte