IPD65R1K5CEAUMA1

MOSFET N-CH TO-252-3
IPD65R1K5CEAUMA1 P1
IPD65R1K5CEAUMA1 P1
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Infineon Technologies ~ IPD65R1K5CEAUMA1

Artikelnummer
IPD65R1K5CEAUMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH TO-252-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IPD65R1K5CEAUMA1
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 700V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 5.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 100µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 10.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 225pF @ 100V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 53W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 1A, 10V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO252-3
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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