Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | IPD40N03S4L08ATMA1 |
---|---|
Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 13µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1520pF @ 15V |
Vgs (Max) | ±16V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 42W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 8.3 mOhm @ 40A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | PG-TO252-3-11 |
Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |