IPD16CNE8N G

MOSFET N-CH 85V 53A TO252-3
IPD16CNE8N G P1
IPD16CNE8N G P1
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Infineon Technologies ~ IPD16CNE8N G

Artikelnummer
IPD16CNE8N G
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 85V 53A TO252-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IPD16CNE8N G
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 85V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 53A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 61µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3230pF @ 40V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 100W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 53A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO252-3
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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