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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | IPD16CNE8N G |
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Teilstatus | Obsolete |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 85V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 53A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 61µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3230pF @ 40V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 100W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 53A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | PG-TO252-3 |
Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |