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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | IPB60R299CPAATMA1 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 440µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 100V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 96W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 299 mOhm @ 6.6A, 10V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | PG-TO263-3 |
Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |