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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | IPB083N10N3GATMA1 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 8.3 mOhm @ 73A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 75µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3980pF @ 50V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 125W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | D²PAK (TO-263AB) |
Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |