IPB05N03LB

MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
IPB05N03LB P1
IPB05N03LB P1
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Infineon Technologies ~ IPB05N03LB

Artikelnummer
IPB05N03LB
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IPB05N03LB.pdf IPB05N03LB PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IPB05N03LB
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 40µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3209pF @ 15V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 94W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 5 mOhm @ 60A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO263-3-2
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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