Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | IPB042N10N3 G |
---|---|
Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 6V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 150µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 117nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 8410pF @ 50V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 214W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 4.2 mOhm @ 50A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | PG-TO263-3 |
Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |