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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | IPB031N08N5ATMA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 80V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 108µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 87nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6240pF @ 40V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 167W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 3.1 mOhm @ 100A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO263-3 |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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IPB031N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V TO263-3 | 1000 | Einzelheiten | |
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IPB031NE7N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3 | - | 0 | Einzelheiten |