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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | IPB025N08N3GATMA1 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 80V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 2.5 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 270µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 206nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 14200pF @ 40V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 300W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | D²PAK (TO-263AB) |
Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |