IPAW60R360P7SXKSA1

MOSFET N-CH 650V 9A TO220
IPAW60R360P7SXKSA1 P1
IPAW60R360P7SXKSA1 P1
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Infineon Technologies ~ IPAW60R360P7SXKSA1

Artikelnummer
IPAW60R360P7SXKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 9A TO220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IPAW60R360P7SXKSA1
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 9A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 140µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 555pF @ 400V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 22W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 360 mOhm @ 2.7A, 10V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO220 Full Pack
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack

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