IPA80R460CEXKSA1

MOSFET N-CH 800V TO-220-3
IPA80R460CEXKSA1 P1
IPA80R460CEXKSA1 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Infineon Technologies ~ IPA80R460CEXKSA1

Artikelnummer
IPA80R460CEXKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V TO-220-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IPA80R460CEXKSA1
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 800V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 5A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 680µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 64nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 100V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 34W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 460 mOhm @ 7.1A, 10V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO220 Full Pack
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack

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