IPA70R900P7SXKSA1

MOSFET N-CH TO220-3
IPA70R900P7SXKSA1 P1
IPA70R900P7SXKSA1 P1
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Infineon Technologies ~ IPA70R900P7SXKSA1

Artikelnummer
IPA70R900P7SXKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH TO220-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IPA70R900P7SXKSA1
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 700V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 900 mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 60µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 6.8nC @ 400V
Vgs (Max) ±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 211pF @ 400V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 20.5W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO220 Full Pack
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack

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