Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | IPA65R1K0CEXKSA1 |
---|---|
Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 650V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 7.2A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 15.3nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 328pF @ 100V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | Super Junction |
Verlustleistung (Max) | 68W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 1.5A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | PG-TO220 Full Pack |
Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |