Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | IPA60R190P6XKSA1 |
---|---|
Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 20.2A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 7.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 630µ |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 37nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1750pF @ 100V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 34W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | PG-TO220-FP |
Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |