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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | IPA086N10N3 G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 45A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 75µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3980pF @ 50V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 37.5W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 8.6 mOhm @ 45A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO220-FP |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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IPA083N10N5XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 45A TO220-3 | 0 | Einzelheiten | |
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IPA086N10N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 45A TO220-FP | - | 5851 | Einzelheiten |
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IPA086N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 45A TO220-FP | - | 35989 | Einzelheiten |