IKW50N65ES5XKSA1

IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
IKW50N65ES5XKSA1 P1
IKW50N65ES5XKSA1 P1
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Infineon Technologies ~ IKW50N65ES5XKSA1

Artikelnummer
IKW50N65ES5XKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
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Artikelnummer IKW50N65ES5XKSA1
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 80A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 200A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 50A
Leistung max 274W
Energie wechseln 1.23mJ (on), 550µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 120nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 20ns/127ns
Testbedingung 400V, 50A, 8.2 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 70ns
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Lieferantengerätepaket PG-TO247-3

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