IGC13T120T8LX1SA1

IGBT 1200V 10A SAWN ON FOIL
IGC13T120T8LX1SA1 P1
IGC13T120T8LX1SA1 P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Infineon Technologies ~ IGC13T120T8LX1SA1

Artikelnummer
IGC13T120T8LX1SA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
IGBT 1200V 10A SAWN ON FOIL
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- IGC13T120T8LX1SA1 PDF online browsing
Familie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer IGC13T120T8LX1SA1
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) -
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 30A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.07V @ 15V, 8A
Leistung max -
Energie wechseln -
Eingabetyp Standard
Gate Ladung -
Td (ein / aus) bei 25 ° C -
Testbedingung -
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall Die
Lieferantengerätepaket Die

Verwandte Produkte

Alle Produkte