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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | IDH10G120C5XKSA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Silicon Carbide Schottky |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 10A (DC) |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 10A |
| Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 0ns |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 62µA @ 1200V |
| Kapazität @ Vr, F | 525pF @ 1V, 1MHz |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-2 |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO220-2-1 |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 175°C |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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IDH10G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220-2 | 823 | Einzelheiten | |
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IDH10G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2 | - | 0 | Einzelheiten |
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IDH10G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2 | - | 0 | Einzelheiten |
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IDH10G65C5ZXKSA1 | Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2 | - | 0 | Einzelheiten |
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IDH10G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | SIC DIODES | - | 0 | Einzelheiten |