IDC51D120T6MX1SA3

DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER
IDC51D120T6MX1SA3 P1
IDC51D120T6MX1SA3 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Infineon Technologies ~ IDC51D120T6MX1SA3

Artikelnummer
IDC51D120T6MX1SA3
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- IDC51D120T6MX1SA3 PDF online browsing
Familie
Dioden - Gleichrichter - Einzeln
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Produktparameter

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Artikelnummer IDC51D120T6MX1SA3
Teilstatus Active
Dioden-Typ Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 1200V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 100A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 2.05V @ 100A
Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr 18µA @ 1200V
Kapazität @ Vr, F -
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall Die
Lieferantengerätepaket Sawn on foil
Betriebstemperatur - Kreuzung -40°C ~ 175°C

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