IAUT300N10S5N015ATMA1

MOSFET75V120V
IAUT300N10S5N015ATMA1 P1
IAUT300N10S5N015ATMA1 P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Infineon Technologies ~ IAUT300N10S5N015ATMA1

Artikelnummer
IAUT300N10S5N015ATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET75V120V
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- IAUT300N10S5N015ATMA1 PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer IAUT300N10S5N015ATMA1
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 300A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.8V @ 275µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 216nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 16011pF @ 50V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 375W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-HSOF-8-1
Paket / Fall 8-PowerSFN

Verwandte Produkte

Alle Produkte