FF1200R12KE3NOSA1

IGBT MODULE VCES 1200V 1200A
FF1200R12KE3NOSA1 P1
FF1200R12KE3NOSA1 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Infineon Technologies ~ FF1200R12KE3NOSA1

Artikelnummer
FF1200R12KE3NOSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
IGBT MODULE VCES 1200V 1200A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- FF1200R12KE3NOSA1 PDF online browsing
Familie
Transistoren - IGBTs - Module
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Artikelnummer FF1200R12KE3NOSA1
Teilstatus Active
IGBT-Typ -
Aufbau 2 Independent
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) -
Leistung max 5000W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 1200A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 86nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module

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