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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | FF11MR12W1M1B11BOMA1 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Eigenschaft | Silicon Carbide (SiC) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 100A |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 100A, 15V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.55V @ 40mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 250nC @ 15V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7950pF @ 800V |
Leistung max | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / Fall | Module |
Lieferantengerätepaket | Module |