FD-DF80R12W1H3_B52

IGBT MODULE VCES 1200V 40A
FD-DF80R12W1H3_B52 P1
FD-DF80R12W1H3_B52 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Infineon Technologies ~ FD-DF80R12W1H3_B52

Artikelnummer
FD-DF80R12W1H3_B52
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
IGBT MODULE VCES 1200V 40A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - IGBTs - Module
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Artikelnummer FD-DF80R12W1H3_B52
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Single
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 40A
Leistung max 215W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 235nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module

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