DF75R12W1H4FB11BOMA2

MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1
DF75R12W1H4FB11BOMA2 P1
DF75R12W1H4FB11BOMA2 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Infineon Technologies ~ DF75R12W1H4FB11BOMA2

Artikelnummer
DF75R12W1H4FB11BOMA2
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - IGBTs - Module
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Artikelnummer DF75R12W1H4FB11BOMA2
Teilstatus Not For New Designs
IGBT-Typ -
Aufbau Three Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 25A
Leistung max 20mW
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.65V @ 15V, 25A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 2nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module

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