Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | DF23MR12W1M1B11BOMA1 |
---|---|
Teilstatus | Obsolete |
FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Eigenschaft | Silicon Carbide (SiC) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 25A |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 25A, 15V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 10mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 620nC @ 15V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 800V |
Leistung max | 20mW |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / Fall | Module |
Lieferantengerätepaket | Module |