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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | DD800S17H4B2BOSA2 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Diodenkonfiguration | 2 Independent |
| Dioden-Typ | Standard |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 1700V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | - |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 2.1V @ 800A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 900A @ 900V |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -40°C ~ 150°C |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | AG-IHMB130-1 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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DD800S17H4B2BOSA2 | Infineon Technologies | IGBT MODULE VCES 1700V 800A | - | 78 | Einzelheiten |
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