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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | BUZ30AH3045AATMA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 200V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 21A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 125W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 13.5A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO263-3 |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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BUZ30A | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 21A TO-220AB | 0 | Einzelheiten | |
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BUZ30A E3045A | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 21A TO-263 | - | 0 | Einzelheiten |
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BUZ30A H | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3 | - | 458 | Einzelheiten |
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BUZ30AH3045AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 21A TO-263 | - | 0 | Einzelheiten |
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BUZ30AHXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3 | - | 27327 | Einzelheiten |