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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | BTS247ZE3062AATMA2 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 55V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 33A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 90µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 90nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1730pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | Temperature Sensing Diode |
| Verlustleistung (Max) | 120W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 12A, 10V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO263-5 |
| Paket / Fall | TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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BTS247Z E3062A | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5 | 0 | Einzelheiten | |
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BTS247ZAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5 | 0 | Einzelheiten | |
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BTS247ZE3043AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5 | 0 | Einzelheiten | |
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BTS247ZE3062AATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5 | 0 | Einzelheiten |