BTS244ZE3062AATMA2

MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5
BTS244ZE3062AATMA2 P1
BTS244ZE3062AATMA2 P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Infineon Technologies ~ BTS244ZE3062AATMA2

Artikelnummer
BTS244ZE3062AATMA2
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- BTS244ZE3062AATMA2 PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer BTS244ZE3062AATMA2
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 55V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 35A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 130µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2660pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft Temperature Sensing Diode
Verlustleistung (Max) 170W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 13 mOhm @ 19A, 10V
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO263-5
Paket / Fall TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB

Verwandte Produkte

Alle Produkte