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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | BSZ22DN20NS3GATMA1 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 200V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 7A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 225 mOhm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 13µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 5.6nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 430pF @ 100V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 34W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | PG-TSDSON-8 |
Paket / Fall | 8-PowerTDFN |