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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | BSZ040N04LSGATMA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 40V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 18A (Ta), 40A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 36µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 64nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5100pF @ 20V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2.1W (Ta), 69W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 20A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-TSDSON-8 |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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BSZ040N04LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 | - | 10000 | Einzelheiten |
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BSZ040N06LS5ATMA1 | Infineon Technologies | MV POWER MOS | 0 | Einzelheiten |