Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Infineon Technologies ~ BSS139 E6906

Artikelnummer	BSS139 E6906
Teilstatus	Obsolete
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	250V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	100mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	0V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 56µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	3.5nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	76pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	Depletion Mode
Verlustleistung (Max)	360mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	14 Ohm @ 0.1mA, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	PG-SOT23-3
Paket / Fall	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	PDF	Auf Lager	Aussicht
BSS100	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 100V 220MA TO92	-	19310	Einzelheiten
BSS110	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 50V 170MA TO92	-	19310	Einzelheiten
BSS119 E6433	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23		0	Einzelheiten
BSS119 E7796	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23		0	Einzelheiten
BSS119 E7978	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23		0	Einzelheiten
BSS119E6327	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23		0	Einzelheiten
BSS119L6327HTSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23		0	Einzelheiten
BSS119L6433HTMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23		0	Einzelheiten
BSS119NH6327XTSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23		3000	Einzelheiten
BSS119NH6433XTMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23	-	0	Einzelheiten
BSS123	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23	-	534000	Einzelheiten
BSS123 E6433	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23		0	Einzelheiten