BSO615C G

MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
BSO615C G P1
BSO615C G P1
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Infineon Technologies ~ BSO615C G

Artikelnummer
BSO615C G
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Produktparameter

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Artikelnummer BSO615C G
Teilstatus Active
FET Typ N and P-Channel
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 3.1A, 2A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 110 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 20µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 22.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 25V
Leistung max 2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket PG-DSO-8

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