BSO303PNTMA1

MOSFET 2P-CH 30V 8.2A 8DSO
BSO303PNTMA1 P1
BSO303PNTMA1 P1
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Infineon Technologies ~ BSO303PNTMA1

Artikelnummer
BSO303PNTMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET 2P-CH 30V 8.2A 8DSO
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
BSO303PNTMA1.pdf BSO303PNTMA1 PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Produktparameter

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Artikelnummer BSO303PNTMA1
Teilstatus Obsolete
FET Typ 2 P-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 8.2A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 21 mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 100µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 72.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1761pF @ 25V
Leistung max 2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket P-DSO-8

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